全新原裝，公司現貨。
BSM35GP120
參數：
制造商: Infineon
產品種類: IGBT 模塊
RoHS: 否
產品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集電極—發射極電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 2.4 V
在25 C的連續集電極電流: 45 A
柵極—射極漏泄電流: 300 nA
功率耗散: 230 W
工作溫度: + 125 C
封裝 / 箱體: EconoPIM2
柵極/發射極電壓: +/- 20 V
工作溫度: - 40 C
安裝風格: Screw
上一個產品：ISO122P
下一個產品：M95040-RMB6TG
